Новый полупроводниковый материал на основе тонкопленочных композитных структур с магнитными микро- и нано включениями
Международный коллектив ученых из Института общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, Физического института им. П.Н. Лебедева РАН, Университета науки и технологий МИСИС, НИЦ «Курчатовский институт», Научно-практического центра НАН Беларуси по материаловедению (Минск) разработал новый полупроводниковый материал на основе тонкопленочных композитных структур с магнитными микро- и нановключениями. В качестве материалов матрицы были использованы антимониды группы АIIIВV и арсениды кадмия, а в качестве ферромагнетиков – антимонид и арсенид марганца. Разработка перспективна для создания сенсоров магнитного поля и способствует оптимизации технологических процессов изготовления интегральных структур устройств электроники. Результаты работы, подержанной Российским научным фондом (проект № 21-73-20220), опубликованы в журнале Thin Solid Films.
M.H. Al-Onaizan,A.I. Ril’, M. Jaloliddinzoda,A.V. Timofeev, D.Yu. Karpenkov, A.T. Morchenko,A.L. Zhaludkevich, T.V. Shoukavaya,S.F. Marenkin. The influence of technological conditions on the electromagnetic properties of Cd3As2 – MnAs composite thin films. Thin Solid Films 802, 140440 (2024).
DOI: 10.1016/j.tsf.2024.140440. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2024.140440